据《科学》杂志报道，日本东京大学领导的研究团队利用氮化硼（BN）纳米管作为“模板”，成功制备出直径仅1纳米、约为人类发丝十万分之一的单壁二硫化钼（MoS2）半导体纳米管。这是迄今全球最小的半导体纳米管，不仅验证了关于超细材料电子特性的理论预测，也为下一代微型电子器件研发提供了新思路。

研究团队通过在BN纳米管内部的狭窄空间进行化学反应，合成了直径仅1纳米、具有明确原子结构的单壁MoS2纳米管。他们表示，这种受限空间使原本难以形成的超细MoS2纳米管得以生长，并促进了原子有序排列，从而获得结构明确且高度均一的材料。现有半导体技术在器件微缩过程中难以保持结构完美，缺陷影响显著，而碳纳米管也存在类似问题。MoS2纳米管在尺寸控制和原子结构一致性方面具有潜在优势，有望为构建超小半导体沟道提供新方案。

不过，这一成果距离实际应用仍有一定距离，目前制备出的纳米管长度仅为数百纳米。研究团队计划将其长度提高至约1微米（即1000纳米），并尝试利用这一方法制备其他无机纳米管材料，包括磁性材料和超导材料。

（来源：泰安市科协）